Zuhause / Produkte / Widerstände / Durchgangswiderstände / TWW3JR10E
Herstellerteilenummer | TWW3JR10E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TWW3JR10E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TWW |
TWW3JR10E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 100 mOhms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 3W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Flame Proof, Safety |
Temperaturkoeffizient | ±400ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 275°C |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | Radial Lead |
Größe / Abmessung | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.024" (26.00mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW3JR10E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TWW3JR10E-FT |
WHE100FET
Ohmite
WHE15RFET
Ohmite
WHE1K0FET
Ohmite
WHE1R0FET
Ohmite
WHE250FET
Ohmite
WHE5R0FET
Ohmite
WHER50FET
Ohmite
WNE10KFET
Ohmite
WNE250FET
Ohmite
WNE560FET
Ohmite
XC6SLX75-2CSG484I
Xilinx Inc.
XA3S1500-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG484I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE360H29C4
Intel
XC2VP20-6FFG896I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
EP1C20F400C6
Intel