Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / TXN408GRG
Herstellerteilenummer | TXN408GRG |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-TXN408GRG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TXN408GRG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Aus-Zustand | 400V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 25mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.8V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 5A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 8A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 45mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 80A, 84A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TXN408GRG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TXN408GRG-FT |
VS-ST1000C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-5FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6N
Intel
EP2AGX45DF25C4
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
LFEC10E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel