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Herstellerteilenummer | TXN612RG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TXN612RG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TXN612RG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 15mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 12A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 30mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 120A, 125A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TXN612RG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TXN612RG-FT |
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C12K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C12K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C14K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
EP1AGX60CF484C6N
Intel
EP1K100FI256-2
Intel
5SGXMBBR3H43C3N
Intel
EP4SE360F35C3
Intel
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45I3SGE2
Intel
EP2SGX60CF780C3
Intel