Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / UG4KB80TB
Herstellerteilenummer | UG4KB80TB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UG4KB80TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UG4KB80TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 4A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-ESIP |
Supplier Device Package | D3K |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG4KB80TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UG4KB80TB-FT |
KBP308G
Diodes Incorporated
KBP310G
Diodes Incorporated
KBP404G
Diodes Incorporated
KBP406G
Diodes Incorporated
KBP408G
Diodes Incorporated
KBP410G
Diodes Incorporated
KBL401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL403G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL602G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel