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Herstellerteilenummer | UGB18DCTHE3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UGB18DCTHE3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UGB18DCTHE3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 18A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 9A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB18DCTHE3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UGB18DCTHE3/45-FT |
MBRB30H60CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB4045CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB4045CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB4045CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel