Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR221N00L
Herstellerteilenummer | UNR221N00L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR221N00L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR221N00L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR221N00L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR221N00L-FT |
FJV4112RMTF
ON Semiconductor
MMUN2111LT1
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