Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR31A9G0L
Herstellerteilenummer | UNR31A9G0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR31A9G0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR31A9G0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR31A9G0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR31A9G0L-FT |
MMUN2233LT1
ON Semiconductor
MUN2111T1
ON Semiconductor
PBRN113EK,115
NXP USA Inc.
PBRN113ZK,115
NXP USA Inc.
PBRN123EK,115
NXP USA Inc.
PBRN123YK,115
NXP USA Inc.
PDTA113EK,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTA114EK,115
NXP USA Inc.
PDTA114TK,115
NXP USA Inc.