Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR32AAG0L
Herstellerteilenummer | UNR32AAG0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR32AAG0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR32AAG0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR32AAG0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR32AAG0L-FT |
DRA3114T0L
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LCMXO2-1200HC-4TG144C
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LCMXO256C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
APA750-PQG208A
Microsemi Corporation
M2GL005S-1VFG400I
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M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
EP1S20B672C6
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XC5VLX110-1FFG1760CES
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10AX066K2F40I2LG
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