Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR32AEG0L
Herstellerteilenummer | UNR32AEG0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR32AEG0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR32AEG0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR32AEG0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR32AEG0L-FT |
DRC3144T0L
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XA6SLX25-3FTG256Q
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XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2LG
Intel