Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR32AMG0L
Herstellerteilenummer | UNR32AMG0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR32AMG0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR32AMG0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR32AMG0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR32AMG0L-FT |
UNR31A1G0L
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LFEC1E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-4FTG256I
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XC7K410T-2FBG676I
Xilinx Inc.
MPF300T-1FCG484E
Microsemi Corporation
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FF1157I
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
AX1000-FGG676I
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
EP1SGX40GF1020C7N
Intel