Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR411800A
Herstellerteilenummer | UNR411800A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR411800A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR411800A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 510 Ohms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 5.1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 3-SSIP |
Supplier Device Package | NS-B1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR411800A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR411800A-FT |
UNR5211G0L
Panasonic Electronic Components
UNR521200L
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XCS30-3TQ144I
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EX256-FTQG100
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XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F35C2LN
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XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
10AX066H2F34I2LG
Intel
EP4CE75F29C6N
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EP4SGX230FF35I4
Intel