Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR411E00A
Herstellerteilenummer | UNR411E00A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR411E00A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR411E00A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 3-SSIP |
Supplier Device Package | NS-B1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR411E00A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR411E00A-FT |
UNR5212G0L
Panasonic Electronic Components
UNR521300L
Panasonic Electronic Components
UNR5213G0L
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UNR5218G0L
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UNR521900L
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XC6SLX4-L1TQG144I
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
APA600-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-3
Intel
5AGZME1E3H29I4N
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7N
Intel