Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR412100A
Herstellerteilenummer | UNR412100A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR412100A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR412100A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 100mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 3-SSIP |
Supplier Device Package | NS-A1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR412100A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR412100A-FT |
UNR521TG0L
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UNR521V00L
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UNR521W00L
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UNR52A5G0L
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UNR52AEG0L
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LFEC1E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FBG676I
Xilinx Inc.
MPF300T-1FCG484E
Microsemi Corporation
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FF1157I
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
AX1000-FGG676I
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
EP1SGX40GF1020C7N
Intel