Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR412200A
Herstellerteilenummer | UNR412200A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR412200A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR412200A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 100mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 3-SSIP |
Supplier Device Package | NS-A1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR412200A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR412200A-FT |
UNR521V00L
Panasonic Electronic Components
UNR521W00L
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UNR521WG0L
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UNR52A0G0L
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UNR52ALG0L
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XC4005E-2TQ144I
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XCV300E-8FG256C
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EP3C5U256I7
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5SGSMD5K3F40C2
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EP3C16E144I7
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XC5VLX50-3FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160I
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LFE2-35E-5FN672I
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LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C5
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