Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR412400A
Herstellerteilenummer | UNR412400A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR412400A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR412400A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 100mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 3-SSIP |
Supplier Device Package | NS-A1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR412400A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR412400A-FT |
UNR521WG0L
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UNR52A0G0L
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UNR52A1G0L
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