Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR421400A
Herstellerteilenummer | UNR421400A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR421400A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR421400A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 3-SSIP |
Supplier Device Package | NS-B1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR421400A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR421400A-FT |
UNR5218G0L
Panasonic Electronic Components
UNR521900L
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A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
10M25SCE144A7G
Intel
5SGXEA3K2F35I2LN
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
XA7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F35I5N
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel