Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR511TG0L
Herstellerteilenummer | UNR511TG0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR511TG0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR511TG0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-85 |
Supplier Device Package | SMini3-F2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR511TG0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR511TG0L-FT |
DRC5115G0L
Panasonic Electronic Components
DRC5123E0L
Panasonic Electronic Components
DRC5143E0L
Panasonic Electronic Components
DRC5143X0L
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DRC5144T0L
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DRC5144W0L
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DRC5152Z0L
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DRC5643T0L
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DRA5113Z0L
Panasonic Electronic Components
DRA5115G0L
Panasonic Electronic Components
XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
Intel
5SGXMA7N2F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel
EP1SGX25FF1020C5N
Intel