Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / US1GHE3_A/I
Herstellerteilenummer | US1GHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-US1GHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
US1GHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1GHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | US1GHE3_A/I-FT |
VSSAF5N50-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFM-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel