Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / US1JHE3_A/H
Herstellerteilenummer | US1JHE3_A/H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-US1JHE3_A/H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
US1JHE3_A/H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1JHE3_A/H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | US1JHE3_A/H-FT |
BYG23T-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1J-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B140-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel