Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / US1JHE3_A/H
Herstellerteilenummer | US1JHE3_A/H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-US1JHE3_A/H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
US1JHE3_A/H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1JHE3_A/H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | US1JHE3_A/H-FT |
BYG23T-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1J-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B140-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel