Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / US1MHE3/61T
Herstellerteilenummer | US1MHE3/61T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-US1MHE3/61T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
US1MHE3/61T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1MHE3/61T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | US1MHE3/61T-FT |
SS14/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-E3/11T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel