Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / US1MHR3G
Herstellerteilenummer | US1MHR3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-US1MHR3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
US1MHR3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1MHR3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | US1MHR3G-FT |
RS1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2GA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2JA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2JAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2KA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
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10AX057K3F35E2LG
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EP1S40F780I6
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EP1SGX40GF1020C6
Intel