Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / V10WM100-M3/I
Herstellerteilenummer | V10WM100-M3/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-V10WM100-M3/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
V10WM100-M3/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 700µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10WM100-M3/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | V10WM100-M3/I-FT |
MBRB40250TG
ON Semiconductor
LXA03B600
Power Integrations
C3D08060G
Cree/Wolfspeed
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
LXA08B600
Power Integrations
IDB30E120ATMA1
Infineon Technologies
IDB30E60ATMA1
Infineon Technologies
IDK02G65C5XTMA2
Infineon Technologies
IDK03G65C5XTMA2
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel