Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / V20120SG-M3/4W
Herstellerteilenummer | V20120SG-M3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-V20120SG-M3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
V20120SG-M3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 120V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20120SG-M3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | V20120SG-M3/4W-FT |
VS-APU6006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APU6006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
66PQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
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