Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VB20120SG-E3/4W
Herstellerteilenummer | VB20120SG-E3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VB20120SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
VB20120SG-E3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 120V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20120SG-E3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VB20120SG-E3/4W-FT |
MBRB10100-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1090-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15TQ060SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel