Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VB20120SG-M3/4W
Herstellerteilenummer | VB20120SG-M3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VB20120SG-M3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VB20120SG-M3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 120V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20120SG-M3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VB20120SG-M3/4W-FT |
MBRB10H100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15TQ060SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHB10FT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation