Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / VB20200G-E3/8W
Herstellerteilenummer | VB20200G-E3/8W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VB20200G-E3/8W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
VB20200G-E3/8W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20200G-E3/8W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VB20200G-E3/8W-FT |
V40D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
Intel
EP2AGX45DF29C4
Intel
EP2AGZ225FF35I3N
Intel