Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / VB20202G-M3/8W
Herstellerteilenummer | VB20202G-M3/8W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VB20202G-M3/8W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
VB20202G-M3/8W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20202G-M3/8W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VB20202G-M3/8W-FT |
BYVB32-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel