Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VB30120S-M3/8W
Herstellerteilenummer | VB30120S-M3/8W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VB30120S-M3/8W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VB30120S-M3/8W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 30A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 120V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30120S-M3/8W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VB30120S-M3/8W-FT |
MBRB1060HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1635HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1635HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel