Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / VB60170G-E3/8W
Herstellerteilenummer | VB60170G-E3/8W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VB60170G-E3/8W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
VB60170G-E3/8W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 170V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 30A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.02V @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 450µA @ 170V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB60170G-E3/8W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VB60170G-E3/8W-FT |
V40DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel