Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VBT2080S-M3/4W
Herstellerteilenummer | VBT2080S-M3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VBT2080S-M3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VBT2080S-M3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 700µA @ 80V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT2080S-M3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VBT2080S-M3/4W-FT |
MBRB16H60HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB745HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB745HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel