Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / VESD12A1C-02Z-GS08
Herstellerteilenummer | VESD12A1C-02Z-GS08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VESD12A1C-02Z-GS08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VESD12A1C-02Z-GS08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 12V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 13.5V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 23V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 4A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 92W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | 30pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-923 |
Supplier Device Package | SOD-923 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VESD12A1C-02Z-GS08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VESD12A1C-02Z-GS08-FT |
CDNBS16-T24C
Bourns Inc.
CDNBS16-T36
Bourns Inc.
CDNBS16-T36C
Bourns Inc.
SDA24N16TA
Diodes Incorporated
SM1615E3
Microsemi Corporation
SM16LC03
Microsemi Corporation
SM16LC08C/TR13
Microsemi Corporation
SM16LC12C
Microsemi Corporation
SM16LC12CE3
Microsemi Corporation
SM16LC15CE3/TR13
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel