Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / VF20120C-M3/4W
Herstellerteilenummer | VF20120C-M3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VF20120C-M3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
VF20120C-M3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 700µA @ 120V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Supplier Device Package | ITO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF20120C-M3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VF20120C-M3/4W-FT |
BAT54C-BO-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-BO-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel