Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VF20120SG-E3/4W
Herstellerteilenummer | VF20120SG-E3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VF20120SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
VF20120SG-E3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 120V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Supplier Device Package | ITO-220AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF20120SG-E3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VF20120SG-E3/4W-FT |
VS-10ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF04FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETL06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel