Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / VF30200C-E3/4W
Herstellerteilenummer | VF30200C-E3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VF30200C-E3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
VF30200C-E3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 15A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 160µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Supplier Device Package | ITO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF30200C-E3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VF30200C-E3/4W-FT |
BAS40-04-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-06-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-06-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-06-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-06-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel