Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / VFT3060G-M3/4W
Herstellerteilenummer | VFT3060G-M3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VFT3060G-M3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VFT3060G-M3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 15A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 850µA @ 60V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Isolated Tab |
Supplier Device Package | ITO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT3060G-M3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VFT3060G-M3/4W-FT |
GSD2004A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel