Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VI20120SG-E3/4W
Herstellerteilenummer | VI20120SG-E3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VI20120SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VI20120SG-E3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 120V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Supplier Device Package | TO-262AA |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI20120SG-E3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VI20120SG-E3/4W-FT |
VS-VSKE91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T70HFL60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T85HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel