Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / VJ647M
Herstellerteilenummer | VJ647M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VJ647M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VJ647M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Avalanche |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1.1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1100V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-Square, VJ |
Supplier Device Package | VJ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VJ647M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VJ647M-FT |
MMB4G-G
Comchip Technology
MMB4G-HF
Comchip Technology
MMB6G-G
Comchip Technology
MMB6G-HF
Comchip Technology
MMB8G-G
Comchip Technology
MMB8G-HF
Comchip Technology
MSD100-18
Microsemi Corporation
MSD130-18
Microsemi Corporation
MSD30-18
Microsemi Corporation
MSD50-18
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel