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Herstellerteilenummer | VLF5010ST-4R7M1R3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VLF5010ST-4R7M1R3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | VLF |
VLF5010ST-4R7M1R3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.3A |
Strom - Sättigung | 1.4A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.189" L x 0.181" W (4.80mm x 4.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLF5010ST-4R7M1R3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VLF5010ST-4R7M1R3-FT |
VLS2012ET-1R5N
TDK Corporation
VLS2012ET-220M
TDK Corporation
VLS2012ET-4R7M
TDK Corporation
VLS2012ET-R47N
TDK Corporation
VLS2012ET-R68N
TDK Corporation
VLS2010ET-150M
TDK Corporation
VLS2010ET-220M
TDK Corporation
VLS2012ET-150M
TDK Corporation
VLS2012ET-2R2M
TDK Corporation
VLP8040T-331M
TDK Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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