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Herstellerteilenummer | VLS2012ET-100M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VLS2012ET-100M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | VLS |
VLS2012ET-100M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 470mA |
Strom - Sättigung | 470mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 834 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS2012ET-100M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VLS2012ET-100M-FT |
887FU-122M=P3
Panasonic Electronic Components
875FU-681M=P3
Sumida America Components Inc.
875FU-122M=P3
Murata Electronics North America
824MY-180K
TDK Corporation
682AE-014=P3
EPCOS (TDK)
656LZ-05K=P3
Taiyo Yuden
646FY-471K=P3
Pulse Electronics Power
646FY-181K=P3
Murata Electronics North America
636FY-820M=P3
Bourns Inc.
636FY-680M=P3
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel