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Herstellerteilenummer | VLS201610HBX-R33M-1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VLS201610HBX-R33M-1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | VLS-HBX-1 |
VLS201610HBX-R33M-1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Metal |
Induktivität | 330nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.85A |
Strom - Sättigung | 4.42A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 39 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201610HBX-R33M-1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VLS201610HBX-R33M-1-FT |
MLG0402Q6N8JT000
TDK Corporation
MLG0402Q7N5HT000
TDK Corporation
MLG0402Q7N5JT000
TDK Corporation
MLG0402Q8N2HT000
TDK Corporation
MLG0402Q8N2JT000
TDK Corporation
MLG0402Q9N1HT000
TDK Corporation
MLG0402Q9N1JT000
TDK Corporation
MLD2016S1R5MTD25
TDK Corporation
MLD2012SR47TTD25
TDK Corporation
MLD2016S1R0MTD25
TDK Corporation
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation