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Herstellerteilenummer | VLS252008ET-2R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VLS252008ET-2R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | VLS-E |
VLS252008ET-2R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 840mA |
Strom - Sättigung | 770mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 290 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.032" (0.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252008ET-2R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VLS252008ET-2R2M-FT |
VLF252010MT-R68N-CA
TDK Corporation
VLF252015MT-3R3M-CA
TDK Corporation
VLF252015MT-R47N
TDK Corporation
VLF252015MT-150M
TDK Corporation
VLF252015MT-150M-CA
TDK Corporation
VLF252015MT-1R0N-CA
TDK Corporation
VLF252015MT-1R5N
TDK Corporation
VLF252015MT-3R3M
TDK Corporation
VLF252015MT-4R7M
TDK Corporation
VLF252015MT-R47N-CA
TDK Corporation
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel