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Herstellerteilenummer | VLS252010HBX-6R8M-1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VLS252010HBX-6R8M-1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | VLS-HBX-1 |
VLS252010HBX-6R8M-1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Metal |
Induktivität | 6.8µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.1A |
Strom - Sättigung | 750mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 406 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1008 (2520 Metric) |
Supplier Device Package | 1008 (2520 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252010HBX-6R8M-1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VLS252010HBX-6R8M-1-FT |
MLG0402Q4N3HT000
TDK Corporation
MLG0402Q4N3ST000
TDK Corporation
MLG0402Q4N7HT000
TDK Corporation
MLG0402Q5N1HT000
TDK Corporation
MLG0402Q5N1ST000
TDK Corporation
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TDK Corporation
MLG0402Q5N6ST000
TDK Corporation
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TDK Corporation
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TDK Corporation
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TDK Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel