Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / VN2110K1-G
Herstellerteilenummer | VN2110K1-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VN2110K1-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VN2110K1-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2110K1-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VN2110K1-G-FT |
PSMN6R1-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R9-100YSFX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN8R0-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN8R0-30YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN8R2-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R7-100YSFX
Nexperia USA Inc.
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel