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Herstellerteilenummer | VP2110K1-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VP2110K1-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VP2110K1-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP2110K1-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VP2110K1-G-FT |
PSMN5R2-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R9-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN6R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R9-100YSFX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel