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Herstellerteilenummer | VP3203N3-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VP3203N3-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VP3203N3-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 650mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 740mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP3203N3-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VP3203N3-G-FT |
IRF5804TR
Infineon Technologies
IRF5804TRPBF
Infineon Technologies
IRF5805
Infineon Technologies
IRF5805TR
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IRF5805TRPBF
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IRF5806
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IRF5806TRPBF
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SI3443DVTRPBF
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SI3493DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
TPC6006-H(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel