Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-10ETF06FP-M3
Herstellerteilenummer | VS-10ETF06FP-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-10ETF06FP-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-10ETF06FP-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 Full Pack |
Supplier Device Package | TO-220-2 Full Pack |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF06FP-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-10ETF06FP-M3-FT |
VS-SD800C36L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD800C40L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD800C45L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C04C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C08C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C16C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C25C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel