Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-10ETS08-M3
Herstellerteilenummer | VS-10ETS08-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-10ETS08-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-10ETS08-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS08-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-10ETS08-M3-FT |
SE30PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel