Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-10WT10FN
Herstellerteilenummer | VS-10WT10FN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-10WT10FN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-10WT10FN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10WT10FN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-10WT10FN-FT |
V35PW12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW60-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW60HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PWM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PWM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PWM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
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EP1S40F780I6
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EP1SGX40GF1020C6
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