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Herstellerteilenummer | VS-12CTQ045STRR-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-12CTQ045STRR-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-12CTQ045STRR-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 6A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 800µA @ 45V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12CTQ045STRR-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-12CTQ045STRR-M3-FT |
VBT1045C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045CBP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel