Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-12TQ045STRR-M3
Herstellerteilenummer | VS-12TQ045STRR-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-12TQ045STRR-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-12TQ045STRR-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 560mV @ 15A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1.75mA @ 45V |
Kapazität @ Vr, F | 900pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12TQ045STRR-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-12TQ045STRR-M3-FT |
VS-10ETF10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel